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¿EEPROM o F-RAM?

F-RAM

La F-RAM es más rápida, consume 200 veces menos energía y tiene una resistencia virtualmente ilimitada. Consulte nuestra gama de productos de Cypress.

La F-RAM de Cypress ofrece 100 trillones (1014) de ciclos de lectura/escritura.
Por lo general, las EEPROM tienen una duración inferior a 1 millón (106) de ciclos.

La F-RAM es muy superior a la EEPROM tanto en la velocidad de escritura como en lo referente al consumo de energía. La F-RAM escribe los datos a la máxima velocidad de la interfaz, hasta 40 MHz para las interfaces SPI, sin ningún tipo de retraso en la escritura, y los datos pasan a ser de inmediato no volátiles. Generalmente, la EEPROM presenta un retardo de 5 ms antes de que los datos pasen a ser no volátiles.

Para una EEPROM SPI en serie normal de 64 Kb con una velocidad de reloj de 20 MHz, se necesitarían 5 ms para escribir 256 bits ( búfer de página de 32 bytes) y 1283,6 ms para escribir los 64 Kb completos. Con una F-RAM equivalente, se tardarían solo 14 µs para 256 bits y 3,25 ms para escribir los 64 Kb completos. Además, escribir 64 Kb en la EEPROM requiere 3900 µJ, mientras que escribir 64 Kb en la F-RAM exige solo 17 µJ, una diferencia de más de 229 veces.

Las F-RAM en serie son compatibles pin a pin con las EEPROM en serie.

Si necesita más información sobre los productos de Cypress, escríbanos a sales@soselectronic.com

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The world´s most energy-efficient serial nonvolatile RAM with fast write speed and high endurance. Cypress is the trusted leader for instant data capture and protection.

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FRAM 16K (2K x 8) SPI 20MHz SO8

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