Transistores de efecto campo NXP

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fabricante	Serie	Polarity	Vdss (Drain to Source Voltage)	Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)	Drive Voltage	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs)	Vgs (Max)	Pd (Power Dissipation, Max)	Operating Temperature	Case	Mounting Type	Features	Nota	MSL

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BSN20BKR

Transistores de efecto campo

Transistor MOSFET N-Ch. 0,265A/60V SOT23

Más información BSN20BK.pdf

N.º pedido 217670

Fabricante NXP

MOSFET N

60 V

265mA

n/a

2,8 Ohm / 200mA / 10V

n/a

20 V

0,31 W

n/a

SOT23

SMD

n/a

en stock 2900 uds.

20 uds+

0,1060 €

40 uds+

0,1020 €

200 uds+

0,0910 €

1000 uds+

0,0835 €

3000 uds+

0,0789 €

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BF 245 A

Transistores de efecto campo

Transistor JFET N-Ch. 25mA/30V TO92

N.º pedido 13876

Fabricante NXP

JFET N

-30 V

6,5mA

n/a

6,5 mOhm /-/ 15V

n/a

-30 V

0,3 W

n/a

TO92

THT

n/a

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PMV 60 EN

Transistores de efecto campo

Transistor MOSFET N-Ch. 4,7A/30V SOT23

Más información PMV60EN.pdf

Componentes alternativos

IRLML0030TRPBF

N.º pedido 75368

Fabricante NXP

MOSFET N

30 V

4,7A

n/a

55 mOhm / 2A / 10V

n/a

-20 V

2 W

n/a

SOT23

SMD

n/a

Ya no está disponible

Componente alternativo: IRLML0030TRPBF