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IRF 510 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Ch. 5,6A/100V TO220
N.º pedido: 2487
En stock 160 uds.
Pendiente(s):
(20.11.2020: 200 uds.)
Volumen mínimo de pedido: 5 uds.
Cantidades de pedido admitidas: 1 uds. (5, 6, 7 ... uds.)
Unidad de embalaje: 50 uds. (in tube)
Categoría: Transistores de efecto campo, potencia
Información de producto: En stock
Fabricante (marca): VISHAY IR
5 uds+ 0,3980 €
10 uds+ 0,3030 €
50 uds+ 0,2740 €
250 uds+ 0,2520 €
1000 uds+ 0,2240 €
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IRF 510 PBF
Transistor MOSFET N-Ch. 5,6A/100V TO220

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Especificaciones

Fabricante (marca) VISHAY IR
Type Power
Polarity MOSFET N
Power 43 W
Case TO220AB
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm / 3,4A / 10V
Continuous Drain Current 5,6A
On/Off Time (Max) 6,9ns/15ns
On Resistance Max. 540 mOhm
Operating Voltage 100 V
Output Current A 5,6 A
Note n/a
Series n/a
RoHS

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